Popis
IRFB4110 N-kanálový výkonový MOSFET 200V 180A, pro více informací doporučujeme prostudovat datasheet. Vgs th = 2-4V
Specifikace:
VDSS = 100V
RDS(on) = 0.0037Ω
Vgs th = 2-4V
ID = 180A, limit pouzdra 120A
/nmosfet n mosfet n kanalovy n kanal mosfet





